Framleiðandi Vöru númer:
IPI35CN10N G
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPI35CN10N G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 27A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Birgðir:
12801044
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPI35CN10N G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
27A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 27A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 29µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1570 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
58W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
PG-TO262-3
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
IPI35C
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
500
Önnur nöfn
IPI35CN10N G-DG
SP000208936
SP000680730
IPI35CN10NG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRF540ZLPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
862
HLUTARNÁMR
IRF540ZLPBF-DG
Einingaverð
0.53
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
AOWF412
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
AOWF412-DG
Einingaverð
0.97
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
BUZ30AH3045AATMA1
MOSFET N-CH 200V 21A D2PAK
IPC60R160C6UNSAWNX6SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPD90N06S405ATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
